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SUP25P10-138-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SUP25P10-138-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
Fiche technique

SUP25P10-138-GE3 Fiche technique

paquet TO-220-3
ECAD
En stock 6 672 piece(s)
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Spécifications SUP25P10-138-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C16.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs13.8 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

SUP25P10-138-GE3 fiche technique

SUP25P10-138-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SUP25P10-138-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUP25P10-138-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SUP25P10-138-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUP25P10-138-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# SUP25P10-138-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB

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D# 2400412

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CH, -100V, -16.3A, TO-220AB-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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SUP25P10138GE3

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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SUP25P10138GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

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