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SUD35N10-26P-T4GE3

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SUD35N10-26P-T4GE3

Pour Référence Seulement

Référence SUD35N10-26P-T4GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Fiche technique

SUD35N10-26P-T4GE3 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Spécifications SUD35N10-26P-T4GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C35A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 12V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs26 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252, (D-Pak)
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUD35N10-26P-T4GE3 fiche technique

SUD35N10-26P-T4GE3 Packaging

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Packing
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SUD35N10-26P-T4GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD35N10-26P-T4GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUD35N10-26P-T4GE3?
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SUD35N10-26P-T4GE3 Produits Connexes

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MOSFET N-CH 100V 35A TO252

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Vishay Siliconix

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