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STW19NM65N

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STW19NM65N

Pour Référence Seulement

Référence STW19NM65N
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Fiche technique

STW19NM65N Fiche technique

paquet TO-247-3
ECAD
En stock 12 840 piece(s)
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Spécifications STW19NM65N

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
SériesMDmesh? II
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 50V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs270 mOhm @ 7.75A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

STW19NM65N fiche technique

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STW19NM65N FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW19NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW19NM65N?
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