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STW11NB80

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Référence STW11NB80
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Fiche technique

STW11NB80 Fiche technique

paquet TO-247-3
ECAD
En stock 107 148 piece(s)
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Spécifications STW11NB80

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
SériesPowerMESH?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs800 mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

STW11NB80 fiche technique

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STW11NB80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW11NB80 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW11NB80. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW11NB80 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW11NB80 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW11NB80 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW11NB80?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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