| Référence | STV200N55F3 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Description | MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 |
| Fiche technique | |
| paquet | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| ECAD |
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| En stock | 14 928 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | janv. 27 - févr. 1 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | STMicroelectronics |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| ECAD |
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| Séries | STripFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 10-PowerSO |
| Paquet / cas | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
STV200N55F3 |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 |
1200 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
STV200N55F3 D# 497-7028-1-ND |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO |
1731 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
STV200N55F3 |
STMICROELECTRONICS |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1428 |
STV200N55F3K |
STMicroelectronics |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
704 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
STV200N55F3 D# NS-STV200N55F3 |
STMicroelectronics |
OEM/CM ONLY |
1269 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
STV200N55F3 |
STMicroelectronics |
OEM/CM ONLY |
608 |
STV200N55F3K |
STMicroelectronics |
OEM/CM ONLY |
608 |
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