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STH47N60DM6-2AG

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Pour Référence Seulement

Référence STH47N60DM6-2AG
Fabricant STMicroelectronics
Description POWER TRANSISTORS
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications STH47N60DM6-2AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C36A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2350 pF @ 100 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs80mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurH2PAK-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STH47N60DM6-2AG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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