Name: STH30N65DM6-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH30N65DM6-7AG
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

STH30N65DM6-7AG

Pour Référence Seulement

Référence	STH30N65DM6-7AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	705 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications STH30N65DM6-7AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	MDmesh™ DM2
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	28A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±25V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	223W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	115mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	H2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

STH30N65DM6-7AG Packaging

STH30N65DM6-7AG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STH30N65DM6-7AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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