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STH2N120K5-2AG

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Pour Référence Seulement

Référence STH2N120K5-2AG
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 4 722 piece(s)
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Spécifications STH2N120K5-2AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs5.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds124 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurH2PAK-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

STH2N120K5-2AG Packaging

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Packing
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