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STH22N95K5-2AG

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Pour Référence Seulement

Référence STH22N95K5-2AG
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications STH22N95K5-2AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)950 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C17.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1550 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs330mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurH2PAK-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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  • 6. What is the process for return or replacement of STH22N95K5-2AG?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STH22N95K5-2AG.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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