Name: STH10N80K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH10N80K5-2AG
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

STH10N80K5-2AG

Pour Référence Seulement

Référence	STH10N80K5-2AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 970 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 13 - févr. 18 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications STH10N80K5-2AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	426 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	121W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	680mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	H2Pak-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

STH10N80K5-2AG Packaging

STH10N80K5-2AG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STH10N80K5-2AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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