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STGW35NC120HD

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Pour Référence Seulement

Référence STGW35NC120HD
Fabricant STMicroelectronics
Description IGBT 1200V 60A 235W TO247
Fiche technique
paquet TO-247-3
ECAD
En stock 4 400 piece(s)
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Spécifications STGW35NC120HD

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
SériesPowerMESH?
Type IGBT-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)60A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)135A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 20A
Puissance - Max235W
Changer d'énergie1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte110nC
Td (on / off) à 25 ° C29ns/275ns
Condition de test960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)152ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247-3

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Packing
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STGW35NC120HD FAQ

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  • 3. Are the STGW35NC120HD price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STGW35NC120HD?
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247

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