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STB60NE06L-16T4

hot STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16T4

Pour Référence Seulement

Référence STB60NE06L-16T4
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Fiche technique

STB60NE06L-16T4 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Spécifications STB60NE06L-16T4

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesSTripFET? II
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4150pF @ 25V
Vgs (Max)±15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB60NE06L-16T4 fiche technique

STB60NE06L-16T4 Packaging

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STB60NE06L-16T4 FAQ

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hotISL81487EIP ISL81487EIP Renesas Electronics America, IC TXRX RS-485/422 ESD 8-DIP, 8-DIP (0.300", 7.62mm), STripFET? II Vue
X40430S14I-AT1 X40430S14I-AT1 Renesas Electronics America, IC VOLT MON TRPL EEPROM 14-SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), STripFET? II Vue

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 60V, 0.016OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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