Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30N65M2AG
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

STB30N65M2AG

Pour Référence Seulement

Référence	STB30N65M2AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	747 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 13 - févr. 18 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications STB30N65M2AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±25V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	180mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB30N65M2AG Packaging

STB30N65M2AG FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STB30N65M2AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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