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SSM6N7002BFU-T5L-F

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Pour Référence Seulement

Référence SSM6N7002BFU-T5L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SSM6N7002BFU-T5L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA
Rds sur (max) @ id, vgs2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds17pF @ 25V
Puissance - Max300mW
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurUS6

SSM6N7002BFU-T5L-F Packaging

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Sealing
Packing
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SSM6N7002BFU-T5L-F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6N7002BFU-T5L-F is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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