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SSM6N17FU-TE85L-F

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Pour Référence Seulement

Référence SSM6N17FU-TE85L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 8 982 piece(s)
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Spécifications SSM6N17FU-TE85L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100mA (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 3V
Puissance - Max200mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurUS6

SSM6N17FU-TE85L-F Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SSM6N17FU-TE85L-F FAQ

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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