Name: SSM6J502NU-LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NU,LF
Availability: InStock
Rating: 5 (138 reviews)

SSM6J502NU-LF

Pour Référence Seulement

Référence	SSM6J502NU-LF
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 625 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SSM6J502NU-LF

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	U-MOSVI
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad

SSM6J502NU-LF Packaging

SSM6J502NU-LF FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SSM6J502NU-LF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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