Name: SSM6J216FE-LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J216FE,LF
Availability: InStock
Rating: 5 (170 reviews)

SSM6J216FE-LF

Pour Référence Seulement

Référence	SSM6J216FE-LF
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 400 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SSM6J216FE-LF

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	U-MOSVI
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	12 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.8A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.7 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1040 pF @ 12 V
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	ES6
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666

SSM6J216FE-LF Packaging

SSM6J216FE-LF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SSM6J216FE-LF we delivered, we will accept the replacement or return of the SSM6J216FE-LF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SSM6J216FE-LF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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