* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Référence | SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
| Fiche technique | |
| paquet | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
|
| En stock | 89 154 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | juil. 4 - juil. 9 (Choisissez l'expédition accélérée) |
| Demander un Devis |
|
| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
|
| Séries | U-MOSVI |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 59 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | ES6 |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
|
SIT3822AC-1D-25NH | SiTime, OSC PROG LVPECL 2.5V 10PPM SMD, 6-SMD, No Lead, U-MOSVI | Vue |
|
|
SIT9120AI-1DF-XXE150.000000Y | SiTime, -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, U-MOSVI | Vue |
|
SIT1602BI-83-25N-19.200000T | SiTime, -40 TO 85C, 7050, 50PPM, 2.5V, 1, -, U-MOSVI | Vue |
|
1808CC273KAT9A | AVX Corporation, CAP CER 0.027UF 630V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), U-MOSVI | Vue |
 
|
TPS658622AZQZR | Texas Instruments, IC LI-ION BATT/PWR MGMT 120BGA, 120-VFBGA, U-MOSVI | Vue |
|
74HCT139N,652 | NXP, IC DECODER/DEMUX DUAL 2-4 16DIP, 16-DIP (0.300", 7.62mm), U-MOSVI | Vue |
|
SN74AHCT00N | Texas Instruments, IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP, 14-DIP (0.300", 7.62mm), U-MOSVI | Vue |
|
768145181AP | CTS Resistor Products, RES NTWRK 24 RES MULT OHM 14SOIC, 14-SOIC (0.220", 5.59mm Width), U-MOSVI | Vue |
|
MCS04020C4994FE000 | Vishay Beyschlag, RES SMD 4.99M OHM 1% 1/10W 0402, 0402 (1005 Metric), U-MOSVI | Vue |
|
|
D38999/24MD19HD | TE Connectivity Deutsch Connectors, JAM NUT RECEPTACLE, -, U-MOSVI | Vue |
|
|
AFD57-18-30PY-6116 | TE Connectivity Deutsch Connectors, AFD57-18-30PY-6116, -, U-MOSVI | Vue |
|
|
EEC31DREN | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 62POS 0.100, -, U-MOSVI | Vue |
Nous garantissons la satisfaction du client à 100%.
Notre équipe de vente expérimentée et notre équipe d'assistance technique recourent à nos services pour satisfaire tous nos clients.
Nous fournissons une garantie de 90 jours.
Si les articles que vous avez reçus n'étaient pas de qualité parfaite, nous serions responsables de votre remboursement ou de votre remplacement, mais les articles doivent être retournés dans leur état d'origine.
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# V36:1790_13898020 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
PB-F SOT-23F PCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=-20V - Tape and Reel (Alt: SSM6J215FE(TE85L,F) RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# C1S751201008958 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
3505 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
RoHS (ship within 1day) - D/C 2019 |
4000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# SSM6J215FE(TE85LFCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
6782 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4760 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# 757-SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF RoHS: Compliant
|
3349 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components | 3200 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
4016 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-CHANNEL MOSFET (LF) TRANSIST pbFree: Pb-Free
|
0 |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SSM6J215FE(TE85L,F D# 43710987 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R RoHS: Compliant
|
0 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
Avez-vous une question à propos de SSM6J215FE(TE85L,F?
+86-755-83210559-810
Scannez pour afficher cette page
