Name: SSM6J214FE-TE85L-F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J214FE(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

SSM6J214FE-TE85L-F

Pour Référence Seulement

Référence	SSM6J214FE-TE85L-F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	58 932 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 28 - janv. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SSM6J214FE-TE85L-F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	U-MOSVI
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.9 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	560 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	50mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	ES6
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666

SSM6J214FE-TE85L-F Packaging

SSM6J214FE-TE85L-F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SSM6J214FE-TE85L-F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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