Name: SQS840CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS840CENW-T1_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (92 reviews)

SQS840CENW-T1_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQS840CENW-T1_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	14 562 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQS840CENW-T1_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1031 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	33W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	20mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8W
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8W

SQS840CENW-T1_GE3 Packaging

SQS840CENW-T1_GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQS840CENW-T1_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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