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SQS840CENW-T1_GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SQS840CENW-T1_GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 14 562 piece(s)
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Spécifications SQS840CENW-T1_GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs22.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1031 pF @ 20 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)33W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs20mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8W
Paquet / casPowerPAK® 1212-8W

SQS840CENW-T1_GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SQS840CENW-T1_GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SQS840CENW-T1_GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SQS840CENW-T1_GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SQS840CENW-T1_GE3?
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