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SQS423ENW-T1_GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SQS423ENW-T1_GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SQS423ENW-T1_GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C16A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1975 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)62.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs21mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8W
Paquet / casPowerPAK® 1212-8W

SQS423ENW-T1_GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SQS423ENW-T1_GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SQS423ENW-T1_GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SQS423ENW-T1_GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SQS423ENW-T1_GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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