Name: SQP120N10-09_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQP120N10-09_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

SQP120N10-09_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQP120N10-09_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	687 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 30 - févr. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQP120N10-09_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8645 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	9.5mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3

SQP120N10-09_GE3 Packaging

SQP120N10-09_GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SQP120N10-09_GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SQP120N10-09_GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQP120N10-09_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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