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SQP120N06-3M5L_GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SQP120N06-3M5L_GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SQP120N06-3M5L_GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds14700 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.5mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

SQP120N06-3M5L_GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that SQP120N06-3M5L_GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SQP120N06-3M5L_GE3 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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