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SQM50N04-4M0L_GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SQM50N04-4M0L_GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SQM50N04-4M0L_GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM50N04-4M0L_GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SQM50N04-4M0L_GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SQM50N04-4M0L_GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SQM50N04-4M0L_GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SQM50N04-4M0L_GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SQM50N04-4M0L_GE3 price and inventory displayed accurate?
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