Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

SQM35N30-97_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQM35N30-97_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 2 - oct. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQM35N30-97_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	300 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5650 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	97mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM35N30-97_GE3 Packaging

SQM35N30-97_GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQM35N30-97_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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