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SQM120P10_10M1LGE3

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Pour Référence Seulement

Référence SQM120P10_10M1LGE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SQM120P10_10M1LGE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10.1mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM120P10_10M1LGE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SQM120P10_10M1LGE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SQM120P10_10M1LGE3 price and inventory displayed accurate?
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