Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (147 reviews)

SQD10N30-330H_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQD10N30-330H_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	6 591 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 21 - déc. 26 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQD10N30-330H_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	300 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2190 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	107W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	330mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

SQD10N30-330H_GE3 Packaging

SQD10N30-330H_GE3 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQD10N30-330H_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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