Name: SQ4917CEY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4917CEY-T1_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

SQ4917CEY-T1_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQ4917CEY-T1_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	10 995 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 22 - déc. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQ4917CEY-T1_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	-
Tension de drain à la source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1910pF @ 30V
Puissance - Max	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC

SQ4917CEY-T1_GE3 Packaging

SQ4917CEY-T1_GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SQ4917CEY-T1_GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SQ4917CEY-T1_GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQ4917CEY-T1_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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