Name: SQ2361CEES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2361CEES-T1_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (147 reviews)

SQ2361CEES-T1_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQ2361CEES-T1_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 12 - nov. 17 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQ2361CEES-T1_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	170mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQ2361CEES-T1_GE3 Packaging

SQ2361CEES-T1_GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQ2361CEES-T1_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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