Name: SQ1922EEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922EEH-T1_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

SQ1922EEH-T1_GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SQ1922EEH-T1_GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	35 856 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SQ1922EEH-T1_GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	-
Tension de drain à la source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	840mA (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	350mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Puissance - Max	1.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SC-70-6

SQ1922EEH-T1_GE3 Packaging

SQ1922EEH-T1_GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SQ1922EEH-T1_GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SQ1922EEH-T1_GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SQ1922EEH-T1_GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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