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SPW11N60C3FKSA1

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SPW11N60C3FKSA1

Pour Référence Seulement

Référence SPW11N60C3FKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SPW11N60C3FKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 500µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs380mOhm @ 7A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-1
Paquet / casTO-247-3

SPW11N60C3FKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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SPW11N60C3FKSA1 FAQ

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  • 3. Are the SPW11N60C3FKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPW11N60C3FKSA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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