Name: SPD04N50C3BTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04N50C3BTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

SPD04N50C3BTMA1

Pour Référence Seulement

Référence	SPD04N50C3BTMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 29 - janv. 3 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SPD04N50C3BTMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	560 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 200µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	950mOhm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO252-3-11
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

SPD04N50C3BTMA1 Packaging

SPD04N50C3BTMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SPD04N50C3BTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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