Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (104 reviews)

SPB17N80C3ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	SPB17N80C3ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 790 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 4 - déc. 9 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SPB17N80C3ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	177 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	227W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	290mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB17N80C3ATMA1 Packaging

SPB17N80C3ATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SPB17N80C3ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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