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SISS66DN-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SISS66DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 070 piece(s)
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Spécifications SISS66DN-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen IV
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs85.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3327 pF @ 15 V
Vgs (Max)+20V, -16V
Fonction FETSchottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.38mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8S
Paquet / casPowerPAK® 1212-8S

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Sealing
Packing
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SISS66DN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SISS66DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SISS66DN-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SISS66DN-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SISS66DN-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SISS66DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of SISS66DN-T1-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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