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SISS5710DN-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SISS5710DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SISS5710DN-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds770 pF @ 75 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs31.5mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8S
Paquet / casPowerPAK® 1212-8S

SISS5710DN-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SISS5710DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SISS5710DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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