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SISS5623DN-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SISS5623DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 34 728 piece(s)
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Spécifications SISS5623DN-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1575 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs24mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8S
Paquet / casPowerPAK® 1212-8S

SISS5623DN-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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SISS5623DN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SISS5623DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SISS5623DN-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SISS5623DN-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SISS5623DN-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SISS5623DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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