Name: SISS5110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS5110DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

SISS5110DN-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SISS5110DN-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 27 - janv. 1 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SISS5110DN-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±25V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	8.9mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8S

SISS5110DN-T1-GE3 Packaging

SISS5110DN-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SISS5110DN-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SISS5110DN-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SISS5110DN-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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