Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS890ADN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

SIS890ADN-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIS890ADN-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 265 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 24 - déc. 29 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIS890ADN-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1330 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8

SIS890ADN-T1-GE3 Packaging

SIS890ADN-T1-GE3 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIS890ADN-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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