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SIR5102DP-T1-RE3

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Pour Référence Seulement

Référence SIR5102DP-T1-RE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 349 piece(s)
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Spécifications SIR5102DP-T1-RE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen V
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C27A (Ta), 110A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2850 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.1mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / casPowerPAK® SO-8

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Sealing
Packing
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SIR5102DP-T1-RE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIR5102DP-T1-RE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIR5102DP-T1-RE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIR5102DP-T1-RE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIR5102DP-T1-RE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIR5102DP-T1-RE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIR5102DP-T1-RE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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