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SIR122DP-T1-RE3

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SIR122DP-T1-RE3

Pour Référence Seulement

Référence SIR122DP-T1-RE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SIR122DP-T1-RE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen IV
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7.4mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / casPowerPAK® SO-8

SIR122DP-T1-RE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SIR122DP-T1-RE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIR122DP-T1-RE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIR122DP-T1-RE3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of SIR122DP-T1-RE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIR122DP-T1-RE3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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