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SIJ4106DP-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SIJ4106DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 18 000 piece(s)
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Spécifications SIJ4106DP-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15.8A (Ta), 59A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3610 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs8.3mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / casPowerPAK® SO-8

SIJ4106DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SIJ4106DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIJ4106DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIJ4106DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIJ4106DP-T1-GE3?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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