Name: SIHP28N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP28N65E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

SIHP28N65E-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIHP28N65E-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 16 - janv. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIHP28N65E-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3405 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	112mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3

SIHP28N65E-GE3 Packaging

SIHP28N65E-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SIHP28N65E-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SIHP28N65E-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHP28N65E-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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