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SIHP180N60E-GE3

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SIHP180N60E-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SIHP180N60E-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SIHP180N60E-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesE
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C19A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1085 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)156W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs180mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

SIHP180N60E-GE3 Packaging

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Packing
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SIHP180N60E-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHP180N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIHP180N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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