Name: SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH070N60EF-T1GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

SIHH070N60EF-T1GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIHH070N60EF-T1GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 12 - nov. 17 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIHH070N60EF-T1GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	EF
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	36A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2647 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	202W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	71mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Paquet / cas	8-PowerTDFN

SIHH070N60EF-T1GE3 Packaging

SIHH070N60EF-T1GE3 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHH070N60EF-T1GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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