Name: SIHG21N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG21N80AE-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

SIHG21N80AE-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIHG21N80AE-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	1 485 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 19 - nov. 24 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIHG21N80AE-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	E
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1388 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	32W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	235mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AC
Paquet / cas	TO-247-3

SIHG21N80AE-GE3 Packaging

SIHG21N80AE-GE3 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHG21N80AE-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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