Name: SIHB35N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB35N60EF-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

SIHB35N60EF-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIHB35N60EF-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	36 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 21 - déc. 26 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIHB35N60EF-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	EF
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	32A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	134 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2568 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	97mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB35N60EF-GE3 Packaging

SIHB35N60EF-GE3 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHB35N60EF-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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