Name: SIHB22N65E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N65E-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (195 reviews)

SIHB22N65E-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIHB22N65E-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	N-CHANNEL 650V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 346 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SIHB22N65E-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	22A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2415 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	227W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB22N65E-T1-GE3 Packaging

SIHB22N65E-T1-GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHB22N65E-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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