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SIHB12N60ET1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SIHB12N60ET1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SIHB12N60ET1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesE
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds937 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)147W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs380mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB12N60ET1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SIHB12N60ET1-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SIHB12N60ET1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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