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SIHB105N60EF-GE3

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SIHB105N60EF-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SIHB105N60EF-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 133 piece(s)
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Spécifications SIHB105N60EF-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesEF
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1804 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)208W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs102mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB105N60EF-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SIHB105N60EF-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHB105N60EF-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIHB105N60EF-GE3 price and inventory displayed accurate?
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HCS3920FTL500

RES SMD 0.0005 OHM 1% 5W 3920

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