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SIHA690N60E-GE3

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SIHA690N60E-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SIHA690N60E-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SIHA690N60E-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesE
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds347 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)29W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs700mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220 Full Pack
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

SIHA690N60E-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SIHA690N60E-GE3 FAQ

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